【資料圖】

iC襯底：材料端良率提升是關(guān)鍵，設(shè)備端生長(zhǎng)、切片、研磨拋光各環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化率逐步提升

（1）襯底：隨著下游持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，我們預(yù)計(jì)全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅襯底片新增市場(chǎng)空間約380/156億元，海外龍頭起步較早，根據(jù)Yole，2020年海外廠商Wolfspeed等CR3達(dá)78%，國(guó)內(nèi)龍頭天科合達(dá)、天岳先進(jìn)分別僅為3%，國(guó)內(nèi)SiC襯底良率較低約50%，而海外龍頭良率已達(dá)85%左右。

（2）長(zhǎng)晶：物理氣相傳輸（PVT）最成熟，難點(diǎn)在于溫度控制、雜質(zhì)控制、生長(zhǎng)速度緩慢等，隨著國(guó)內(nèi)SiC襯底加速擴(kuò)產(chǎn)，我們預(yù)計(jì)2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅單晶爐新增市場(chǎng)空間約100/40億元，國(guó)內(nèi)廠商已經(jīng)較好的實(shí)現(xiàn)了碳化硅單晶爐的國(guó)產(chǎn)化，其中北方華創(chuàng)（002371）市占率超50%，晶升股份市占率約 28%，晶盛機(jī)電（300316）設(shè)備自產(chǎn)自用。

（3）切片：金剛線切割效率高、污染少，正逐漸代替砂漿切割，激光切片損耗少、效率高，有望替代金剛線成為新一代主流切割技術(shù)，我們預(yù)計(jì)到2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅切片設(shè)備新增市場(chǎng)空間約30/13億元，金剛線切割方面高測(cè)股份已推出分別兼容4-8英寸的SiC金剛線切片機(jī)并持續(xù)推進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代，激光切割方面大族激光（002008）和德龍激光市場(chǎng)份額各占約50%。

（4）研磨拋光：我們預(yù)計(jì)2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅磨拋設(shè)備的市場(chǎng)空間約56/23億元，DISCO為龍頭，國(guó)內(nèi)邁為股份（300751）對(duì)標(biāo)DISCO ，推動(dòng)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化。

3 SiC外延：國(guó)外設(shè)備商主導(dǎo)，未來(lái)2-3年有望快速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代

SiC外延需嚴(yán)格控制缺陷，工藝難度大，我們預(yù)計(jì)2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅外延爐新增市場(chǎng)空間約130/53億元，目前以意大利LPE（水平氣流）、德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)（垂直氣流）、日本的Nuflare（垂直氣流）為主，其MOCVD設(shè)備的核心差異是對(duì)氣體流量的控制，國(guó)內(nèi)晶盛機(jī)電、北方華創(chuàng)、芯三代、中電48所和深圳納設(shè)智能等均在積極推進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代。此外在外延完成后，SiC仍需要激光劃片進(jìn)行晶圓的切割，我們預(yù)計(jì)2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅激光切割設(shè)備新增市場(chǎng)空間約5/2億元，國(guó)內(nèi)德龍激光、大族激光市占率各50%。

風(fēng)險(xiǎn)提示：新能源車銷量不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)、碳化硅滲透率提升不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)、SiC設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率提升不及預(yù)期、各家廠商技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期。

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